韩国科学技术研究院(KIST)新一代半导体研究所光电材料研究团队2日表示，利用III-V族化合物半导体，成功开发出克服现有硅元件缺点的下一代半导体元件。

与现有硅半导体相比，该团队开发出的下一代半导体不仅功耗率下降，信息处理速度也大幅提升。同时，利用该半导体，该团队还开发出世界上首个能够在常温下检测红外线的图像传感器。通过此次研发，不仅突破了现有半导体的局限，成功实现原始技术自立，同时也掌握了主要发达国家安全加密技术中重要一环的视频拍摄技术。

III-V族化合物半导体是周期表3族(Al、Ga、In等)和5族(P、As、Sb等)元素聚集而成的结晶半导体。

KIST博士研究组开发的元件是被称为III-V族化合物半导体 “第三代”的“锑化合物”的基础。与硅半导体相比,该半导体元件不仅改善了电子和空穴迁移率，功耗只有10%，同时还吸收了硅半导体无法吸收的红外区域光线。

同时， KIST研究团队研发出在硅上“嫁接”化合物半导体的技术，与硅相比，弥补了化合物半导体价格高的缺点，提高了实现商业化的可能性。

该研究团队还利用此次研发的化合物半导体材料，开发出利用用红外线观测物体特性的元件和相关成像技术。

KIST博士团队开发出的基于化合物半导体的图像传感器，为多波长相机商业化铺平了道路。利用“第三代”化合物半导体，开发出在常温下也能拍摄红外图像传感器，这在全世界范围内可谓首次。

信息来源：

http://www.etnews.com/20191202000284

资料来源：中韩科学技术合作中心